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高精度晶圆检测机

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更新时间:2023-09-01 13:58:44浏览次数:196次

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产品简介

广泛应用于Si基Wafer表面缺陷、针孔检测,透明基板表面颗粒缺陷检测,2D图形检测(表面颗粒、划伤、DIE丢失、破裂、崩边) 2D关键尺寸检测(Pad边界、关键位置尺寸) 3D Bump检测。

详细介绍

  • 适用产品 / Applicable Product

    广泛应用于Si基Wafer表面缺陷、针孔检测,透明基板表面颗粒缺陷检测,2D图形检测(表面颗粒、划伤、DIE丢失、破裂、崩边) 2D关键尺寸检测(Pad边界、关键位置尺寸) 3D Bump检测。

    技术特点 / Standard Functions

    支持Die2Die 检测,同时支持线宽测量及套刻测量三合一
    表面缺陷检测能力可达0.3um
    自动检测无需人工建立Golden Image
    单机支持Bright Field,Dark Field 缺陷检测模式
    灵活高效多种方式的缺陷Review和自动缺陷分类
    多种算法联合检测,缺陷识别率高
    支持单层图形和多层图形检测,及自定义区域检测
    业界的高速准确的整版Die检测
    高精度线宽量及套刻尺寸测量系统
    多种波长检测光源适配530nm,405nm和365nm
    自动脚本Recipe编程能力和自动化运行

    安装条件 / Optional Functions

    整机尺寸1868*1129*1976mm设备重量1500KG
    峰值功率2KW电源220V 50Hz
    压缩空气0.45Map真空-65~100Kpa
    EFU0.13μm内外部压差>4Pa
    静电消除离子风棒*2UPS选配
    安全性机械手EMO、整机EMO、安全门传感器、磁力锁内部洁净等级Class10
    标准符合性CE、SEM、S2、S8、S22

    技术参数 / Technical Parameters

    指标规格
    Wafer尺寸4″6″8″ / 6″8″12″
    上下片方式机械手上下片/Mapping扫描/预对准
    运动平台隔震平台大理石平台+隔震,满足VC-C级别震动要求
    Wafer StageXY行程:300*450 ,重复精度:50nm单轴
    速度:900mm/sec
    驱动及反馈:直线电机+Ranishaw(Tonic)光栅
    Chuck真空吸附
    检测精度BF
    最小:300nm
    DF
    最小:100nm
    产能4″<60WPH6″<40WPH ,8″<25WPH , 12″<15WPH
    光学系统光路系统双光路线阵+面阵成像系统,线阵用于快速扫描,面阵用于对准及Review
    相机多线:3200*1Pixel:7nm 面阵2/3彩色CCD
    镜头根据具体的样品配置
    可提供2X、3.5X、5X、10X、20X、50x、100X等规格
    光源LED反射光、激光暗场照明、环形光源

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