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MMF-12D24DS-RM1

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更新时间:2017-08-09 06:56:20浏览次数:533

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产品简介

MMF-12D24DS-RM1因其导电性能良好,被雷击中后电流疏散得也快,本身不容易集聚电能,反而是那些不容易导电的物品,比如水泥屋顶、墙面,遭雷击后更容易在局部产生高压而炸开断裂。

详细介绍

MMF-12D24DS-RM1变频器风扇

一般人都认为,高楼比较容易成为雷击目标,楼层低的房子肯定比高楼安全。其实不然,防雷专家说,如果楼层低的房子处于高楼边上,遭雷击的可能性非但不会减少,反而会大大增加。

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专家解释说,这就好比打雷时站在大树底下。高楼容易招雷,高楼周边的建筑物也相对比较容易遭雷击。高楼本身一般都已采取较为完善的防雷设施,遭受雷击时电流通过避雷装置导入地下,这时如果周边楼层低的房子如果防雷设施不完善,MMF-12D24DS-RM1就很可能遭受雷击损失。

防雷监测部门的有关专家告诉记者,现在高楼在申报审批时,有关部门会对其作风险评估,要求其在安装避雷装置时考虑对邻近建筑物的保护。

晶闸管在电机软启动领域中的选择与应用 
一  晶闸管产品特点简介  
         从本世纪 50 年代我国生产晶闸管器件问世以来 经历了 50 多年的历史 刚开始时 由于制
造工艺水平不成熟 性能很不稳定 那时有人称之为 可怕硅 现在随着制造水平的提高 各种性
能相当稳定 已朝着大电流 3000A 以上 高电压 6000V 以上 方向发展  
        英文为 Thyristor,也称为可控硅 Silicon Controlled Rectifier 它是一种具有 P-N-P-N
四层三个 PN 结的功率半导体器件 它有三个电极 阳极 A 阴极 K 控制门极 G 是一种电
流控制型器件 要使其导通必须具备两个条件 一是阳极电位高于阴极电位 即正偏置 二是控制
门极施加足够功率和宽度的触发脉冲信号 晶闸管具有如下特点 导通后即使控制门极触发信号撤
去 只要流过器件的正向电流大于维持电流 一般几十个毫安 它还能导通  也就是说通过关断触
发信号来关断晶闸管是不行的 这点与 IGBT GTR MOSFET 不同 要想关断它 必须将维持导通的
电流减小至维持电流以下 因此有时需要进行强迫关断,即在需关断时,对它施加反偏置电压(即反
压) 直至其关断  
        相对其他功率器件 晶闸管因其具有低的导通压降 过流能力强 耐冲击 耐高压 所以在
各种不同类型的电力电子变换装置中被广泛使用 交流电机软启动就是一个典型的应用  
         
二  晶闸管参数说明  
       作为使用者来说 要正确使用晶闸管 首先就要对晶闸管的各项电气参数有一个详细的了解
这样就可以正确地选型 但往往在实际工作中 大多数人并不*了解 如晶闸管额定电流标称的
是平均值概念 实际工作中负载标称的额定电流是有效值 两者之间是有根本区别的 因此有必要

                    
从图 a 中可以计算出额定通态电流平均值 IT(AV)和正弦半波电流峰值 Im 之间数学表达式为:

1 单只晶闸管额定通态电流方均根值(即有效值) IRMS 
π
2 1 2 2 2 2
I RMS= I msin θ dθ =  x I T(AV)/4 


0
IRMS =1.57 x IT(AV)-----------------------------------------(2) 
2 两只单独封装的晶闸管反并联交流有效值:IRMS 
如图 b 两只独立封装可控硅反并联后形成一个双向可控硅 因双向可控硅晶闸管额
定电流不能用平均值标称 因流过的电流为交流电 平均值为零 所以只能用交流有效
值 IRMS 标称   
由公式(1) 每个晶闸管通过的半波峰值均为 Im= IT(AV) 正负两个半波刚好组成
一个完整的正弦波 该正弦波峰值为 x IT(AV) 所以流过 MTX 模块的额定有效值(方均
根值)  
π ×IT(AV)
IRMS= =2.22  IT(AV)--------------------------------(3) 
2
3 MTX 型号模块交流有效值 IRMS 
如图 c MTC 型号模块从外部将电极 1 和 2 联接在一起后 就是 MTX 型号模块 反并
联形成一个双向可控硅晶闸管 所以也只能用交流有效值 IRMS 标称 公式 3 同样适用   
但由于考虑到 MTX 内部每个晶闸管额定平均电流 IT(AV)值是在单独测试情况测得的,
双管芯同时工作时(严格说相差 10ms 交替导通),管芯之间热量相互会有一点影响 故按
IRMS=(1.6-2.0)  IT(AV)考虑平均值和方均根(即有效值)为宜  
 
 晶闸管耐压的参数 VDRM;VRRM; VDSM;VRSM 
晶闸管电压指标有 断态正向不重复峰值电压 VDSM 断态正向重复峰值电压
VDRM 断态反向不重复峰值电压 VRSM 断态反向重复峰值电压 VRRM 以上概念
中重复意味着晶闸管阴阳极承受的电压在一定的漏电流范围内是可以重复施加的 不重
复意味着晶闸管阴阳极承受电压的zui大峰值 超过此zui大值漏电流变大 超过额定值 室温和结温时漏电流额定值不一样 所以讲耐压指标时 不能脱离漏电流 漏电流指标生
产商在产品说明书中或合格证中都给出了明确的范围 一般地说 室温漏电流在 2mA 以
下 结温漏电流在 20mA 以下  
对重复峰值电压和不重复峰值电压 国外一般按 VDRM= VDSM-100V VRSM= VRSM-100V
标称 国内一般按 VDRM= VDSM-200V VRRM= VRSM-200V 或 VDRM= VDSM 80-90 %
VRRM= VRSM 80-90 %标称  

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