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场发射透射电子显微镜

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产品简介

性能指标加速电压:200KV；电子枪：肖特基热场发射超亮电子枪；TEM点分辨率：0.25nm；TEM信息分辨率:0.12nm；STEM分辨率:0.16nm；样品倾斜角度X/Y：30；能谱能量分辨率：136ev;元素检测范围：B～U元素

详细介绍

性能指标

加速电压: 200 KV；
电子枪：肖特基热场发射超亮电子枪；
TEM点分辨率：0.25 nm；
TEM信息分辨率: 0.12 nm；
STEM分辨率: 0.16 nm；
样品倾斜角度X/Y：±30°；
能谱能量分辨率：136 ev;
元素检测范围：B～U元素。

主要应用

对各种材料内部微结构进行观察；
粉末、纳米颗粒形貌和粒径观察；
选区电子衍射和晶体结构分析；
金属、陶瓷、半导体、塑料、等显微结构分析；
配合能谱仪可以对样品元素做面分布分析，以及各种元素进行定性和半定量微区分析，元素检测范围：B～U元素；
利用三维样品杆可以实现TEM、STEM和EDS三维重构。

样品要求

透射电镜不能直接观察所有含有铁钴镍元素的样品，请做如下处理，否则不予以观察：粉末样品请包埋切片，块体样品请FIB切片；
透射电镜能够观察200nm以下的样品；
对于粉末和液体样品，要求样品均匀分散在支持膜上并且干燥，能够区分正反面；
对于块体样品，要求样品大小为直径3mm的圆，厚度小于200nm；
高分辨样品要求厚度小于10nm。

仪器说明

FEI Talos F200X 场发射透射电镜的电子枪为肖特基热场发射超亮电子枪，STEM 分辨率可以达到0.16nm。
配备4个SDD探头的超级能谱集成到了透射电镜的极靴里面，对称地放在样品的上方，可以高效率探测到微量元素，以及材料成分在一维，二维，甚至三维空间的分布信息。
Talos F200X 还安装了STEM明场和暗场探头，可以同时得到STEM的明场像和暗场像以及髙角环形暗场像（HAADF）。

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