PECS II精密刻蚀镀膜仪
仪器简介:
PECS II精密刻蚀镀膜仪是一款桌面型宽束氩离子抛光及镀膜设备。
对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜。
一款独立、结构紧凑的台式设备。采用两个宽束氩离子源对样品表面进行抛光, 去除损伤层,从而得到高质量样品,用于在 SEM, 光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。
采用 WhisperLok®技术,可选 配温控液氮冷却台。该功能有助于避免抛光过程 中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化。
PECS II内置了一个 10 英寸的触摸屏。不管新手还是专家级用户,都可提高样品的加工可控性 及可重复性。数码变焦显微镜配合 DigitalMicrograph® 软件,可实现对样品加工过程的实时 监控及储存彩色照片,这便于在SEM中进行样品检查和分析。
性能优点:
WhisperLok 系统: 无需破坏主样品室真空即可装卸样品。
低能聚焦潘宁离子枪:可加工对表面损伤敏感的样品,包括 EBSD和 CL。
能量从0.1 – 8.0 keV可调: 改进低能抛光效果,减少非晶层;提供更高的能量,以提高抛光速度。
液氮样品冷却: 保护样品,避免离子束热损伤,去除可能的假象。
10 英寸触摸屏控制:快速,简便地访问所有的控制参数;无需电脑。
数码变焦显微镜: 实时监控加工过程。
DigitalMicrograph 软件彩照存储: 将存储的光学图像与其他分析系统的数据做关联分析。
溅射沉积: 溅射靶材至样品表面,防止样品在 SEM/FIB 中发生荷电。
主要应用:
技术规格:
离子源
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离子枪
| 两个配有稀土磁铁的潘宁离子枪
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抛光角度
| 0 到18°,每支离子枪可独立调节
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离子束能量 (kV)
| 0.1 – 8.0
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离子束流密度峰值(mA/cm2)
| 10
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抛光速率 (µm/h)
| 90(对于硅试样)
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离子束直径
| 可用气体流量计或放电电压来调节
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样品台
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样品大小(长 × 宽 ×高, mm)
| 32 × 15
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转速 (rpm)
| 1 – 6
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离子束调制
| 角度范围可调的单向调制或双向调制
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样品观察
| 数码变焦显微镜,配有 PC 及 DigitalMicrograph 软件(选配件) |
真空系统
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干泵系统
| 两级隔膜泵支持 80 L/s的涡轮分子泵
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压力 (torr)
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基本压力
| 5 × 10-6
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工作压力
| 8 × 10-5
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真空规
| 冷阴极型,用于主样品室;固体型,用 于 前级机械泵
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样品气锁
| WhisperLok技术,样品交换时间小于1 分钟
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用户界面
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10 英寸彩色触摸屏
| 操作简单,且能够控制所有参数和配方式操作
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尺寸及使用要求
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外形尺寸 (长 × 宽× 高, mm)
| 575 × 495 × 615
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运输重量(kg)
| 45
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功耗 (W)
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运行时
| 200
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待机时
| 100
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电源要求
| 通用 100 – 240 VAC,50/60 Hz(用户额定电压和频率)
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氩气(psi)
| 25
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订货编号:LR-200636