广东国玉科技股份有限公司
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广泛应用于Si基Wafer表面缺陷、针孔检测，透明基板表面颗粒缺陷检测，2D图形检测(表面颗粒、划伤、DIE丢失、破裂、崩边) 2D关键尺寸检测(Pad边界、关键位置尺寸) 3D Bump检测。
适用产品 / Applicable Product
广泛应用于Si基Wafer表面缺陷、针孔检测，透明基板表面颗粒缺陷检测，2D图形检测(表面颗粒、划伤、DIE丢失、破裂、崩边) 2D关键尺寸检测(Pad边界、关键位置尺寸) 3D Bump检测。
技术特点 / Standard Functions
支持Die2Die 检测，同时支持线宽测量及套刻测量三合一
表面缺陷检测能力可达0.3um
自动检测无需人工建立Golden Image
单机支持Bright Field，Dark Field 缺陷检测模式
灵活高效多种方式的缺陷Review和自动缺陷分类
多种算法联合检测，缺陷识别率高
支持单层图形和多层图形检测，及自定义区域检测
业界的高速准确的整版Die检测
高精度线宽量及套刻尺寸测量系统
多种波长检测光源适配530nm，405nm和365nm
自动脚本Recipe编程能力和自动化运行
安装条件 / Optional Functions
| 整机尺寸 | 1868*1129*1976mm | 设备重量 | 1500KG |
| 峰值功率 | 2KW | 电源 | 220V 50Hz |
| 压缩空气 | 0.45Map | 真空 | -65~100Kpa |
| EFU | 0.13μm | 内外部压差 | >4Pa |
| 静电消除 | 离子风棒*2 | UPS | 选配 |
| 安全性 | 机械手EMO、整机EMO、安全门传感器、磁力锁 | 内部洁净等级 | Class10 |
| 标准符合性 | CE、SEM、S2、S8、S22 |
技术参数 / Technical Parameters
| 指标 | 规格 | |
| Wafer尺寸 | 4″6″8″ / 6″8″12″ | |
| 上下片方式 | 机械手上下片/Mapping扫描/预对准 | |
| 运动平台 | 隔震平台 | 大理石平台+隔震，满足VC-C级别震动要求 |
| Wafer Stage | XY行程：300*450 ，重复精度：50nm单轴 速度：900mm/sec 驱动及反馈：直线电机+Ranishaw(Tonic)光栅 | |
| Chuck | 真空吸附 | |
| 检测精度 | BF 最小：300nm | DF 最小：100nm |
| 产能 | 4″<60WPH | 6″<40WPH ，8″<25WPH ， 12″<15WPH |
| 光学系统 | 光路系统 | 双光路线阵+面阵成像系统，线阵用于快速扫描，面阵用于对准及Review |
| 相机 | 多线：3200*1Pixel：7nm 面阵2/3彩色CCD | |
| 镜头 | 根据具体的样品配置 可提供2X、3.5X、5X、10X、20X、50x、100X等规格 | |
| 光源 | LED反射光、激光暗场照明、环形光源 |
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