沈阳北博电子科技有限公司
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数字化系统协同设计、MEMS工艺制造微一体化、同步测量压力和温度
1、主要特点：
数字化系统协同设计、MEMS工艺制造
微一体化、同步测量压力和温度
一体化封装结构鲁棒、可靠、性能稳定
多种压力与温度类型组合、量程范围宽
适于压力传感器智能化
2、主要性能技术指标
序号
项目
规格指标
备注
1
组合敏感类型
表压-温度
绝压-温度
表压-绝压-温度差
压-静压-温度
2
压力敏感芯片材质
SOI硅单晶
3
温度元件类型
扩散硅、薄膜铂电阻
4
基准压力量程
表压、
绝压
差压
静压
1*
30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa
100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、
10kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa
1MPa、6MPa、
10MPa、30MPa
2*
5
压力过载能力
表压、绝压单向≥3倍（≤10MPa）、≥2倍（＞10MPa）
差压双向≥5倍基准量程
1*
6
被测介质
与金属、单晶硅兼容的非腐蚀性、绝缘气体和液体
7
激励电源
12±4VDC或 24±4VDC
8
输出阻抗
200Ω（典型值）
3*
9
压力输出信号模式
0.5～5VDC
2*、3*、4*
10
压力准确度
≤ ±0.25%FS （典型值）
3*、4*
11
工作温度
-55～+125℃；-55～+180℃；-55～+240℃；-55～+300℃；
5*、6*、2*
12
热零点漂移
≤± 1%FS/55℃
7*
13
热灵敏度漂移
≤±1%F.S /55℃
7*
14
热电阻标称阻值
扩散硅30～60kΩ；铂薄膜Pt100，Pt200，Pt500、Pt1000；
2*
15
热电阻温度系数
扩散硅≥30Ω/℃；铂薄膜3850ppm/℃；
2*
16
绝缘电阻
>100MW
3*、8*
17
短期稳定性
±0.05%FS/8h
3*
18
长期稳定性
≤±0.1%FS/年
3*
19
电气连接形式
多芯线缆
20
测量接口形式
外螺纹、法兰
注：1*. 无注明，差压为单压力敏感器件； 2*. 可用户定制；
3*. 恒温25℃； 4*. 非线性算法为最小二乘法；
5*.;接插件和放大器工作温度-55℃～+125℃； 6*.-55℃为温度，+400℃为温度；
7*. -55～25℃或25～80℃； 8*. 100VDC；
注：可提供定制服务，如有需求请与营销人员联系。
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