深圳市云帆兴烨科技有限公司
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可在绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管和其他双极器件之类的半导体器件上执行无损瞬态测量
ITC57300动态参数测试系统主机接受测试头，这些测试头可在诸如绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管和其他双极器件之类的半导体器件上执行无损瞬态测量（需要其他可选的偏置电源和定制个性化板）。大型机中包括分析和执行电阻和电感开关时间，开关损耗，栅极电荷，Trr / Qrr和其他瞬态测试所需的所有测试设备和软件。
专为特定类型的瞬态测试设计的测试头与主机上的特殊测试头接收器配对。尽管测试头只能执行一项特定的测试，但每个测试头中的个性化板都会针对特定的设备，设备封装和各种设备电路布置重新配置测试头。
•ITC57210-N和P沟道功率MOSFET的R开关时间，MIL-STD-750，方法3472
•ITC57220-功率MOSFET和二极管的Trr / Qrr，MIL-STD-750，方法3473
•ITC57230-功率MOSFET的栅极电荷，MIL-STD-750，方法3471
•ITC57240 IGBT的电感性开关时间，MIL-STD 750，方法3477
•ITC57250短路（Isc）耐受时间，MIL-STD 750，方法3479
•ITC57260-功率MOSFET的栅极电阻（Rg），输入电容（Ciss），输出电容（Coss）和反向电容（Crss），JEDEC标准JESD24-11
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