技术特点：
1.切割硅片速度快，切割端面非常光滑平整，端面为硅本色，无氧化。
2.硅片切割深度一次可达2mm
3.CCD图象对位，定位精确，带图象自动识别功能。
应用样式：
技术参数：
型号 | KYC-Y400N |
波长 | 1064nm |
zui大平均功率 | 400W |
不稳定度 | ＜±2％ |
激光模式 | 低阶模 |
zui大峰值功率 | 12KW |
zui大单脉冲能量 | 110J |
脉冲宽度 | 0.1-100ms |
切割范围 | 200mm*200mm |
切割速度 | 5mm/s（1.3mm厚硅片）/15mm/s（0.8mm厚硅片） |
zui大切割深度 | 0.8mm（硅片） |
切割线宽 | 0.02mm~0.25 mm（视材料） |
输入电压 | AC380V±10%/50Hz，三相四线制 |
