产品描述
XDV-μ 型系列仪器是专为在很微小结构上进行高精度镀层厚度测量和材料分析而设计的。该系列仪器均配备用于聚焦X射线束的多毛细管透镜，光斑直径（FWHM）可达10至60μm。短时间内就可形成高强度聚焦射线。除了通用型XDV-?型仪器，还有专门为电子和半导体行业而设计的仪器。如XDV-μLD是专为测量线路板而优化的，而XDV-μ wafer是为在洁净间使用而设计的。XDV-μ测量空间宽大，样品放置便捷，特别适合测量平面和大型板材类的样品，还特意为面积超大的板材类样品(例如大线路板)留有一个开口(C型槽)。连续测试或镀层厚度和元素分布的测量都可以方便地用快速可编程XY工作台完成。
操作很人性化，测量门带有大观察窗，并能大角度开启，仪器前部控制面板具备多种功能，日常使用轻松便捷。带有三种放大倍率变焦的高像素视频系统能精确地定位样品，即使是非常细的线材或者是半导体微小的接点都能高质量地显示出测量点所在位置。激光点作为辅助定位装置进-步方便了样品的快速定位。
特点介绍：
。*的多毛细管透镜，可将X射线聚集到很微小的测量面上。现代化的硅漂移探测器（SDD），确保很高的检测灵敏度
。可用于自动化测量的超大可编程样品平台
。为特殊应用而专门设计的仪器，包括：
。XDV-μ LD，拥有较长的测量距离（至少12mm）
。XDV-μLEAD FRAME，特别为测量引线框架镀层如Au/Pd/Ni/CuFe等应用而优化
。XDV-μ wafer,配备全自动晶圆承片台系统
应用实例：
PCB领域的一个典型镀层结构是Au/Pd/Ni/Cu/PCB而且测量点的宽度通常都小于100 um, Au层和Pd层的厚度都在10到100 nm之 间。使用半宽高为20um的XDV-μ 进行测量，Au层 和Pd层的重复精度分别可达到~0.1 nm和~0.5 nm。良好的性能和测量极小样品的专长使得XDVμ仪器成为研究开发、质量认证和实验室的理想选择，同时也是质量控制和产品监控的设备。
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| 引线框架：Au / Pd / Ni / CuFe | 测量PCB：Au / Ni / Cu / PCB | 晶圆：金/钯/镍/铜/硅晶圆 |
镀层厚度测量
。测量未布元器件和已布元器件的印制线路板。在纳米范围内测量复杂镀层系统，如引线框架上Au/Pd/Ni/CuFe的镀层厚度
。对*大12英寸直径的晶圆进行全自动的质量监控
。在纳米范围内测量金属化层（凸块下金属化层，UBM）
。遵循标准 DIN EN ISO 3497 和 ASTM B568
材料分析
。分析诸如Na等极轻元素。分析铜柱上的无铅化焊帽
。 分析半导体行业中C4或更小的焊料凸块以及微小的接触面
典型应用领域
。测量PCB、引线框架和晶片上的镀层系统。测量微小工件和线材上的镀层系统
。分析微小工件的材料成分
