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光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。在紫外光等光照或辐射下，溶解度会发生变化的薄膜材料。AZ4562正性厚光刻胶，具有粘附力，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有粘附力，广泛应用于半导体行业。AZ5214这种特殊的光刻胶用于需要负壁轮廓的剥离技术（lift-of工艺）。由酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮化物作为光敏化合物（PAC）组成的正性光致抗蚀剂，它们也可反转成负胶，从而产生的掩模。SU-82000系列环氧型树脂的负性光刻胶，SU-82000化学放大，i线抗蚀剂非常适合制造性器件结构。这些负色调，环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低的杨氏模量，使其成为制造微/纳米结构的理想选择，如悬臂，膜和微通道。SU-83000系列已被配制用于改进的粘合性和降低的涂层应力。它被用于需要高结合强度和改进的微结构制造柔性的地方，用于微流控/MEMS微纳工艺，大大提高了与基板的粘合性。mr-NIL210有机可光固化的NIL抗蚀剂，具有出色的干法刻蚀特性。它具有出色的固化和纳米压印性能，特别适用于使用软印模材料（例如PDMS）的软NIL。mr-I......
光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。在紫外光等光照或辐射下，溶解度会发生变化的薄膜材料。
AZ 4562
正性厚光刻胶，具有粘附力，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有粘附力，广泛应用于半导体行业。
AZ 5214
这种特殊的光刻胶用于需要负壁轮廓的剥离技术（lift-of工艺）。由酚醛清漆树脂和萘醌二叠氮化物作为光敏化合物（PAC）组成的正性光致抗蚀剂，它们也可反转成负胶，从而产生的掩模。
SU-8 2000系列
环氧型树脂的负性光刻胶，SU-8 2000化学放大，i线抗蚀剂非常适合制造性器件结构。这些负色调，环氧基抗蚀剂表现出优异的耐化学性和低的杨氏模量，使其成为制造微/纳米结构的理想选择，如悬臂，膜和微通道。
SU-8 3000系列
已被配制用于改进的粘合性和降低的涂层应力。它被用于需要高结合强度和改进的微结构制造柔性的地方，用于微流控/MEMS微纳工艺，大大提高了与基板的粘合性。
mr-NIL210
有机可光固化的NIL抗蚀剂，具有出色的干法刻蚀特性。它具有出色的固化和纳米压印性能，特别适用于使用软印模材料（例如PDMS）的软NIL。
mr-I T85
热塑性NIL抵抗剂，基于非极性环烯烃共聚物（TOPAS）的T-NIL抗蚀剂（Tg = 85°C）。
SU8胶配套显影液、去胶液、去边胶
SU-8 Dev、Remover PG去胶、EBR-PG 去边胶、ZX-238型正胶显影液
AZ胶配套显影液
AZ300MIF-薄AZ系列光刻胶的显影液
AZ400K-厚AZ系列光刻胶的显影液
电子束胶
PMMA/MMA950k 495k 50-5000nm 分辨率<10nm 粘附性好，适用于电子束光刻，多层T-Gate剥离、晶圆减薄；
ma-N 2400 0.1um-1um 分辨率50 nm 电子束和深紫外灵敏；抗干刻、湿刻性能；胶图案良好的热稳定性；碱性水溶液下显影；
紫外光刻负胶-lift-off工艺
ROL-7133 2.2-4um 分辨率4um 制作金属电极或导线，倒角75-80度，粘附性好，可使用普通正胶显影液；
SUN-1300 7-18um 分辨率4um 对比度高、分辨率高、附着性佳、易于去除；
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