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日本DNK科研曝光机MA-5301ML光刻机

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更新时间：2023-07-01 09:12:10浏览次数：509次

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光刻机曝光机

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塔玛萨崎电子（苏州）有限公司

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产品简介

简单介绍：主要特长搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。采用本公司开创的同轴对位方式和高速图像处理技术, 从而实现了高精度对位。还支持IR方式和背面方式。通过本公司开创的光学式间隙传感器，可在非接触状态下高速、精的设定掩膜和基板间的近接间隙。搭载有掩膜更换机。*多可自动更换20张掩膜。*多可搭载3台片仓（Load port）。

详细介绍

详情介绍：

光刻机介绍

曝光装置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″

光源超高压水银灯：500W or 1kW

曝光装置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高压水银灯：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″

光源超高压汞灯：500W 或 1kW

Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）

Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML 光源超高压汞灯：3.5kW Ø200mm规格也可对应

マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135