光刻机介绍
曝光装置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″
光源 超高压水银灯 ：500W or 1kW
曝光装置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm
光源 超高压水银灯 ：2kW or 3.5kW
LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″
光源 超高压汞灯：500W 或 1kW
Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）
Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML 光源超高压汞灯：3.5kW Ø200mm规格也可对应
マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135
マスクレス露光装置MX-1205 曝光扫描速度9/4.5mm/s 有效曝光区域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50
主要规格
| | MA-4301M |
| Wafer尺寸 | 材料 | Si,Glass |
| 尺寸 | Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm |
| Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm |
| 节拍时间 | Proximity exposure：19 s/wafer
(One parallelism compensation per lot) |
| 对位精度 | 自动对位：+/- 1 μm
(Peak search) |
| 间隙 | 1 to 200 μm Servo motor
Setup resolution：1 μm |
| 曝光方式 | Soft contact exposure
Hard contact exposure
Proximity exposure |
| 尺寸・重量 | 本体尺寸：W 1800 x D 1650 x H 2015 mm
总重量(including lamp house)：1400 kg |
