三河建华高科有限责任公司
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该设备为全自动曝光设备，主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光
该设备为全自动曝光设备，主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。本产品自动完成基片的传输、对准与曝光工艺，操作方便、生产效率高、稳定性高。
主要技术特点
对准工作台
双工位工作台由X、Y、θ、Z向四维精密电机机构组成，可实现间隙找平与曝光，在接触模式可实现真空复印，板架有防掩摸版脱落机构。
传输系统
传输系统实现了上片盒、预对准、对准工作台、收片盒四个工位二维并行传输，限度减少了传输的时间，提高了整机工作效率。
预对准系统
预对准系统采用机械式锥桶定心，使得预对准定心更方便和可靠。
控制系统
采用工业计算机总线系统，人机交互界面简洁直观，操作方便,同时提供个性化服务。
主要技术指标
| 性能名称 | 技术指标 | |||
| 基片尺寸 | φ100mm | |||
| 掩模尺寸 | 125mm×125mm | |||
| 曝光范围（紫外光源） | φ110mm | |||
| 硅片或衬底厚度 | 0.2～1.1mm | |||
| 生产效率 | 260片/小时（一次曝光，曝光时间3s） | |||
| 工作台 | X向、Y向行程 | ±5mm | ||
| Z行程 | 28mm | |||
| θ向 | ±5° | |||
| 对准精度 | 5μm | |||
| 曝光系统 | 曝光分辨率 | 2μm（接触曝光，正胶胶厚1um） | ||
| 不均匀性 | ±3% | |||
| 光强（1000W汞灯） | ≥40mW/cm2 | |||
| 对准 显微镜 | 总放大倍率：160× | 物镜3× | ||
| 物镜分离量 | 60～110 mm | |||
| 预对准显微镜 | 扫正倍率：50× | 物镜1× | ||
| 扫正物镜 | 固定 | |||
| 寻边倍率：160× | 物镜3× | |||
| 寻边物镜分离量 | 0～10mm | |||
| 外形尺寸 | 1500mm×2200mm×2000mm | |||
| 重量 | 1500kg | |||
| 整机功率 | 2000W | |||
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