三河建华高科有限责任公司
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该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS）等领域的双面对准和曝光
该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS）等领域的双面对准和曝光。
主要技术特点
对准工作台
高精度薄型精密双层三维对准工作台，采用交叉滚柱V形导轨副和θ向超薄轴承及中心滑块结构，保证了工作台的直线性和旋转精度。
机械手机构
机械手采用直线导轨和滚珠丝杠结构，具有高的定位精度和重复精度。
上版架系统
上掩模版的升降导轨选用THK可调分离型直线导轨，驱动采用高分辨率的数显微分头，从而保证两掩模版的重复精度和定位精度。
对准观察系统
双光路结构的卧式分离视场显微镜，可以获取高清晰的图像同时兼容CCD成像显示。
曝光系统
上、下两套独立的紫外光曝光系统，采用*的结构方案，具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。
主要技术指标
| 性能名称 | 技术指标 | |
| 适用基片尺寸 | Max. φ4″（φ100mm） | |
| 适用掩模版尺寸 | Max. 5″（125mm×125mm） | |
| 上下掩模版对准行程 | Ｘ向 | ±4mm |
| Y向 | ±4mm | |
| θ向 | ±7.5° | |
| 上下掩模版对准精度 | ±3um | |
| 掩模版对基片对准行程 | Ｘ向 | ±4mm |
| Y向 | ±4mm | |
| θ向 | ±5° | |
| 掩模对基片对准精度 | ±3μm（以单一面两标记形位检测） | |
| 显微镜 | 物镜放大率 | 6.5× |
| 目镜放大率 | 10× | |
| 总放大倍数 | 65× | |
| 物镜分离距离 | 26～70mm | |
| 曝光光源 | 365nm，250W进口汞灯 | |
| 曝光面积 | φ110mm | |
| 曝光分辨率 | 3μm（正胶）5μm（负胶） | |
| 曝光不均匀性 | ±3% | |
| 曝光时间 | 0～999s | |
| 曝光光强 | ≥15mW/cm2 | |
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