中普尼实业集团（海南）有限公司
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大容量等离子去胶机主要供半导体器件、集成电路生产过程中作等离子去胶工艺用，同时也可兼作刻蚀工艺使用
大容量等离子去胶机
主要供半导体器件、集成电路生产过程中作等离子去胶工艺用，同时也可兼作刻蚀工艺使用。其特点：去胶工艺简单、可靠、速率快、去胶容量大、成品高；并避免了对环境的污染。
主要技术参数：
1.可去胶及剥离光刻所造成的底膜.
2.可刻蚀3～4μ线条的多晶硅.氮化硅薄膜.
3.速率：去 胶＞1000A°/min
多晶硅＞2000A°/min
氮化硅＞800A°/min
4.均匀性：＜ 5%
5.本底真空：5 Pa
6.反应室结构：不锈钢笼式
7.一次去胶容量： 2″硅片——240片 3″硅片——150片 4″ 硅片——100片 5″硅片——50片 H67-16A
8.一次工作周期：20～30分钟
9.高频电源：1功率：0～1000W 2频率：H67-16型10～13Mc（自激式）
其中H67-16A型13.56Mc（晶振它激式）并带有匹配网络和功率计。
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