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场发射透射电子显微镜

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更新时间:2024-01-30 07:38:04浏览次数:77次

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产品简介

产品介绍失效分析是在提高产品质量,技术开发、改进,产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义,是根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现失效的现象,找出失效的原因,挖掘出失效的机理的活动

详细介绍

产品介绍

失效分析是在提高产品质量,技术开发、改进,产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义,是根据失效模式和现象,通过分析和验证,模拟重现失效的现象,找出失效的原因,挖掘出失效的机理的活动。

我们为客户提供的电静检测分析服务为:场发射环境扫描电子显微镜钨灯丝扫描电子显微镜冷场发射扫描电子显微镜、透视电子显微镜场发射透射电子显微镜

 

型号:Tecnai G2 F20 S-Twin


厂家:美国FEI 公司



场发射透射电子显微镜


主要用途:

1.该电镜是一台功能强大的材料分析型电子显微镜,广泛应用于生物、医药、化工、金属、半导体材料、高分子材料、陶瓷、纳米材料等领域,可对材料的粒度、形貌、成分、内部结构和缺陷进行分析;


2.其配备的STEM/HAADF附件可以成和原子序数相关的像,和能谱仪结合还可以很方便的测量样品微区元素的线分布和面分布,对于高分辨像的解析非常有利


3.像素高达2K×2K的CCD可以及时将电子显微像转换成数字照片进行输出,方便用户。


主要配置:

Gatan 894 CCD(2K×2K)

STEM/HAADF探测器

美国EDAX能谱仪

低剂量曝光

单倾样品杆、双倾样品杆、低背景双倾样品杆


性能指标:

1.场发射电子枪

2.加速电压:20-200 kV连续调节

3.放大倍数:25-1,000,000

4.点分辨率:0.24nm

5.线分辨率:0.102nm

6.信息分辨率:≤0.14nm

7.STEM分辨率:0.20 nm

8.STEM放大倍数:200-100,000,000

9.EDS分辨率:优于136 eV,分辨元素范围B5-U92

10.MAX样品倾角:±40°

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