大连通测仪器有限公司
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基于SigOFIT™ 技术的光隔离探头，拥有的共模抑制比和隔离电压，在其带宽范围内洞见信号的全部真相，是判定其他 电压探头所测信号真实性的裁判。此外，SigOFIT光隔离探头采用的激光供电技术，解决了隔离供电的问题。
SigOFIT 光隔离探头洞见信号的全部真相
带宽：DC-1GHz
共模电压： 85kVpk
直流增益精度：1%
共模抑制比：高达180dB
SigOFIT光隔离探头具有的共模抑制比，在100MHz时CMRR高达128dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的裁判。
作为判定其他电压探头所测信号真实性的裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于0.45mVrms，预热5min后零点漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的。
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容最小仅1pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便；探头响应快，上电即测，校准时间小于1秒，可实时保证精确的信号输出。
不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±0.01V至±6250V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT 光隔离探头可作为最终裁判依据。
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