简要描述：便携式样品传送腔体是一种专门设计用于在超高真空环境中传送和处理样品的设备。这种设备通常包括一个或多个关键组成部分，如连接真空计的接口、反射式光电阴极入...

简要描述：4/6英寸辐射式样品台系统"可能指的是一种用于实验或研究的设备或组件，特别是在材料科学、物理学、工程学或其他需要精确控制和分析样品的环境中的设备。

简要描述：插拔式加热器沉积系统是一种方便、实用的加热设备，广泛应用于各种工业和商业领域。这种加热器通常具有紧凑的设计，可以方便地插入到电源插座中，提供快速、高效...

简要描述：脉冲激光沉积样品台是一种物理气相沉积技术，用于在衬底上生长高质量的薄膜。脉冲激光沉积系统中的样品台是一个关键组件，用于支撑和加热待沉积的样品。

简要描述：脉冲激光沉积靶台的设计和应用对于脉冲激光沉积系统的性能和实验结果具有重要影响。通过综合考虑稳定性、热隔离、灵活性、靶材均匀性、冷却机制以及靶材旋转等因...

简要描述：脉冲激光沉积系统激光光路是一个高度复杂和精密的系统，需要各个部分的紧密配合和精确控制，才能制备出高质量的薄膜。同时，随着科技的发展，脉冲激光沉积技术也...

简要描述：单腔体脉冲激光沉积系统是一种的材料制备技术，它利用脉冲激光的高能量密度来蒸发和电离靶材上的物质，并在基底上沉积形成各种物质薄膜。这种系统通常包括一个沉...

简要描述：双腔体脉冲激光沉积系统（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一种的薄膜制备技术，它结合了脉冲激光...

简要描述：电浆原子层沉积设备是一种基于常规ALD的方法，其利用电浆作为裂化前驱物材料的条件，而不是仅依靠来自加熱基板的熱能。

简要描述：原子层沉积系統是基于顺序使用气相化学过程的最重要技术之一；它可以被视为一种特殊类型的化学气相沉积（CVD）。多数ALD反应使用两种或更多种化学物质（称...

简要描述：批量式电浆辅助气相沉积设备为一种使用化学气相沉积技术，可为沉积反应提供能量。与传统的CVD方法相比，可在较低的温度下沉积各种薄膜且不会降低薄膜质量。

简要描述：FPD-PECVD 电浆辅助化学气相沉积：随着LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造设备也变得更大，需要越来越大的设备投资。SYSKEY针对中小...

简要描述：感应耦合电浆化学气相沉积设备是一种使用ICP的化学气相沉积技术，可为沉积反应提供一些能量。与PECVD方法相比，ICP-CVD可以在较低的温度下沉积各...

简要描述：低真空化学气相沉积设备是一种化学气相沉积技术，利用热能在基板表面上引发前驱气体的反应。表面的反应是形成固化材料的原因。

简要描述：电浆辅助式化学气相沉积设备是一种使用电浆的化学气相沉积(CVD)技术，可为沉积反应提供一些能量。与传统的CVD方法相比，PECVD可以在较低的温度下沉...

简要描述：化学气相沉积为一种薄膜沉积方法，其中将基材暴露于一种或多种挥发性气体中，在基板表面上反应或分解以生成所需的薄膜沉积物。这种方法通常用于在真空环境中制造...

简要描述：PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200根据其模块化设计，PECVD Depolab 200可升级为更大的真空泵组，低频射频源和更多的气路。

简要描述：带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD的特色是预真空室和干泵装置，用于无油、高产量和洁净的化学气相沉积过程。

简要描述：等离子沉积设备SI 500 D低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100#176;C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优...

简要描述：化学气相沉积系统PECVD沉积设备SI 500 PPD便于在从室温到350℃的温度范围内进行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的标准的化学气相...