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美国Laurell湿法刻蚀显影机 EDC-650Mz-8NPP

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  • 公司名称深圳市科时达电子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       号
  • 所  在  地深圳市
  • 厂商性质其他
  • 更新时间2023/4/4 9:43:50
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深圳市科时达电子科技有限公司创建于2011年,经过十年的发展,已经成长为一家专注于电子材料、半导体仪器设备、医疗设备三大产品领域的,是一家集研发、制造、销售为一体的企业。我们的主营业务涉及了研发销售及加工电子材料及周边产品;电子光电产品设备研发组装及销售,半导体仪器设备销售;国内贸易、货物及技术进出口;医疗器械研发及销售;医用耗材及医疗用品的销售等。科技创新是科时达公司的核心竞争力。我们拥有一支高度专业化的技术研发和管理团队,建立了国内的实验室和光电研究中心,与多家科研机构与大专院校开展“产、学、研”合作,成功开发出一系列具有高科技含量的市场产品,公司产品通国内科研机构的产品认证。同时,公司拥有电子信息领域相对完备的科技创新体系,在电子装备、医疗设备、产业基础、网络安全等领域占据技术主导地位,肩负着支撑科技自立自强、推进国内科技现代化、加快数字经济发展、服务社会民生的重要职责。聚焦“三大定位”主责,科时达公司按照“做优电子装备、做大仪器设备、做精产业基础、做强研发销售”的总体布局,持续优化核心业务体系,推动企业在科技现代化建设、现代产业体系建设的核心关键技术节点上“布点”,在产业链价值链创新链关键环节上“成线”,在关系国家、国民经济命脉和国计民生关键领域上“控面”。做强电子装备,重点发展利用声、光、电磁信号进行信息感知、传输、运用等的系统级装备和产品,打造全域多维一体新一代电子装备,不断夯实在高校科研领域和高科枝企业的提供地位。做大仪器设备,重点发展半导体仪器基础设施和医疗设备应用与整体解决方案,全面支撑基于网络信息体系的联合和全域能力提升、国家治理能力提升和数字化发展。做精产业基础,重点打造形成电子基础产品科研和生产的基础支撑能力,以夯实产业链供应链自主可控能力为根本目标,推动以“科时达基因”为核心的销售集群式发展。做强研发销售,致力于电子产品的研发。科时达公司是一家企业,多年来公司研发团队致力于电子材料、半导体仪器和医疗设备的研发。同时企业还致力于将产品做好国内外市场销售,在整体销售模式中具备一套完整的销售体系。以客户需求为导向,以质量求生存,科时达公司以超凡的品质和优良的服务,获得国内外市场的一致认可;公司营销网络覆盖,产品世界各地,目前已经成为国内电子科技行业中重要的生产制造基地。
匀胶显影机(英文名:Developing) 产地:美国一、产品概述: 650型匀胶显影机适应于半导体、化工材料、硅片、晶片、基片、导电玻璃等工艺,制版的表面显影。
美国Laurell湿法刻蚀显影机 EDC-650Mz-8NPP 产品信息

匀胶显影机(英文名:Developing)
产地:美国

美国Laurell湿法刻蚀显影机 EDC-650Mz-8NPP(图1)

一、产品概述:
   650型匀胶显影机适应于半导体、化工材料、硅片、晶片、基片、导电玻璃等工艺,制版的表面显影。一般匀胶显影机由动力系统、显影液槽及喷液管、水洗槽、挤压 (水)辊、涂胶槽等部分组成。


二、匀胶显影机工作原理:
显影系统具有可编程阀,它可以使单注射器试剂滴胶按照蚀刻、显影和清洗应用的要求重复进行,如冲洗(通常是去离子水或溶剂),然后干燥(通常是氮气)等最后的处理步骤。采用此序贯阀门技术的晶圆片和管道在干燥的环境中开通和关闭处理过程。隔离和独立的给水器可处在静态的位置还可以盖内调节。匀胶显影机还有可选择的动态线性或径向滴胶的特性。


三、匀胶显影机主要性能指标:    
1、腔体尺寸:12.5英寸 (318 毫米)
2、Wafer&芯片:直径8英寸(200毫米)的晶圆片或者7x7英寸(175毫米)的方片;
3、非真空托盘:聚丙烯材质非真空托盘,可承载2、3英寸及200毫米的晶圆片-并带有背面清洗功能;
3、转动速度:0-12,000rpm,
5、马达旋涂转速:稳定性能误差 < ±1%;
6、工艺时间设定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;
7、高精度数码控制器:PLC控制,设置点精度小于0.006%;
8、程序控制:可存储20个程序段,每个程序段可以设置51步不同的速度状态;
9、分辨率:分辨率小于0.5转/分,可重复性小于±0.5转/分,美国国家标准技术研究院(NIST)认证过的,并且无需再校准!]
10、腔体开关盖板:透明ECTFE材质圆顶盖板,便于实时进行可视化操作;
11、腔体材质说明:用聚丙烯材质制成的带有联动传感触点的合瓣式舱体;
12、配套分析软件:SPIN3000操作分析软件;
13、配套真空泵系统:无油型 220~240伏交流,50/60赫兹;


四、适用工艺(包括但不限于下述湿法制程)
光刻胶显影(KrF/ArF)
SU8厚胶显影
显影后清洗
PostCMP清洗
光罩去胶清洗
光刻胶去除
金属Lift-off处理
刻蚀微刻蚀处理



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