12025-01-01 04:28:1938
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简要描述：等离子沉积设备SI500D低刻蚀速率，高击穿电压，低应力、不损伤衬底以及在低于100#176;C的沉积温度下的低界面态密度，使得所沉积的薄膜具有优异的性能。
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