武汉鑫卓雅科技发展有限公司
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本测试仪是多用途综合测量装置，开展半导体材料的电阻性能的测试
本测试仪是多用途综合测量装置，开展半导体材料的电阻性能的测试。由四探针测试仪和非晶硅薄膜电导率测量仪组成。四探针测试仪由主机、测试架等部分组成，测试结果由数字表头直接显示。主机主要由高灵敏度直流数字电压表和高稳定度恒流源组成。非晶硅薄膜电导率测量仪由样品室、温控系统、真空系统、高阻测量系统等部分组成。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)、功能材料暗电导和光电导及温度的变化的特性。
◆ 本底真空度：≤10 Pa，真空可控范围：10～400Pa；
◆ 衬底加热温度：室温～300℃；
◆ 测量范围：
电阻率：0.001～200Ω.cm； 电导率：0.005～1000 s/cm； 电阻：0.001～200Ω.cm；
可测晶片直径：200mmX200mm；间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻：≥1000MΩ；
机械游移率：≤0.3%； 探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)；
◆恒流源：电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档，各档电流连续可调；误差<±0.5%；
◆数字电压表：
量程：0～199.99mV； 分辨率：10μV； 四位半红色发光管数字显示；
输入阻抗>1000MΩ： 精度：±0.1%；
◆指针式高阻计：
电阻测量范围：1×106～1×1017Ω； 精度：±10%±20%；
微电流测试：1×10-5～1×10-14A； 额定电压：10、100、250、500、1000V±5%。
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