武汉鑫卓雅科技发展有限公司
本测试仪是多用途综合测量装置,开展半导体材料的电阻性能的测试
本测试仪是多用途综合测量装置,开展半导体材料的电阻性能的测试。由四探针测试仪和非晶硅薄膜电导率测量仪组成。四探针测试仪由主机、测试架等部分组成,测试结果由数字表头直接显示。主机主要由高灵敏度直流数字电压表和高稳定度恒流源组成。非晶硅薄膜电导率测量仪由样品室、温控系统、真空系统、高阻测量系统等部分组成。用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)、功能材料暗电导和光电导及温度的变化的特性。
◆ 本底真空度:≤10 Pa,真空可控范围:10~400Pa;
◆ 衬底加热温度:室温~300℃;
◆ 测量范围:
电阻率:0.001~200Ω.cm; 电导率:0.005~1000 s/cm; 电阻:0.001~200Ω.cm;
可测晶片直径:200mmX200mm;间距:1±0.01mm; 针间绝缘电阻:≥1000MΩ;
机械游移率:≤0.3%; 探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;探针压力:5~16 牛顿(总力);
◆恒流源:电流量程分为0.1、1、10、100(mA)四档,各档电流连续可调;误差<±0.5%;
◆数字电压表:
量程:0~199.99mV; 分辨率:10μV; 四位半红色发光管数字显示;
输入阻抗>1000MΩ: 精度:±0.1%;
◆指针式高阻计:
电阻测量范围:1×106~1×1017Ω; 精度:±10%±20%;
微电流测试:1×10-5~1×10-14A; 额定电压:10、100、250、500、1000V±5%。
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