| 设备配置 | 1 Soak、1 Stripper、1 Clean |
| 设备产能 | 40WPH |
| 衬底材质 | Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN |
| 适用工艺 | 金属剥离、光刻胶去除 |
| 工艺指标 | 颗粒控制≤20ea@0.2μm，金属去除率＞99%，光刻胶去除率＞99% |
| 应用领域 | *封装、MEMS、功率器件、射频集成电路、半导体光学、光通讯、科研等 |
| 技术特征 | ◼设备为全自动机台，可自动完成去胶、金属剥离工艺； ◼设备配置浸泡、去胶、清洗三种工艺腔体，浸泡单元采用浸泡和超声波辅助对晶圆表面的光刻胶溶解； ◼去胶单元采用高压柱状或扇状喷嘴对晶圆表面的金属和光刻胶进行去除； ◼清洗单元将晶圆表面的去胶液和颗粒清洗干净，最终实现晶圆的干进干出； ◼去胶液循环系统采用多级过滤，可实现循环使用。 |
| 设备尺寸 | 2000*1950*2500（W*D*H） |
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显影机
去胶剥离机 AST-111Metal Lift off 产品信息
