退火炉是用于制造半导体元件的制程方法。该制程包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理旨在达到不同的效果。可以加热晶片以激活掺杂剂,使沉积的膜至密化,并改变生长的膜的状态。暴露在高温下可以修复损坏。该过程称为退火。 炉子退火可以集成到其他炉子处理步驟中,例如氧化,也可以单独处理。
退火炉技术参数
应用領域 | 腔体 |
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配置和優點 | 選件 |
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北京瑞科中仪科技有限公司专注半导体材料研究分析设备的研发和应用。专业的团队,专精的服务,提供理想的解决方案。
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退火炉是用于制造半导体元件的制程方法。该制程包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理旨在达到不同的效果。可以加热晶片以激活掺杂剂,使沉积的膜至密化,并改变生长的膜的状态。暴露在高温下可以修复损坏。该过程称为退火。 炉子退火可以集成到其他炉子处理步驟中,例如氧化,也可以单独处理。
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