设备配置	2C2D、4C、4D
设备产能	120WPH
衬底材质	Si、Glass等
线宽	≥90nm
适用工艺	i一line、KrF、ArF、PI、SOG、SOC
应用领域	IC、*封装、MEMS、功率器件、射频集成、科研等
技术特征	◼设备占地面积小，产能高，工艺单元灵活选配； ◼热板采用渐进式烘烤，冷盘渐进式冷却； ◼能适应5mm以下翘曲晶圆或超薄晶圆传送和加工工艺； ◼标配电动泵，标配匀胶显影管路温控功能； ◼可实现两种尺寸兼容； ◼可选配高精度热板、光学对中、WEE等单元部件； ◼可选配interface模块,实现Inline功能。
设备尺寸	1680*1550*2500mm（W*D*H）