设备配置	1C1D、2C、2D
衬底材质	Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等
线宽	≥0.35um
适用工艺	G-line、i-line、PI
应用领域	MEMS、功率器件、射频集成、光通讯、科研等
技术特征	◼设备结构紧凑、占地面积小（面宽仅1.1m) ； ◼功能齐全，具备EBR、BSR、RRC、胶嘴自动保湿清洗等功能，可选配更换便捷的针管式胶嘴； ◼可做两种尺寸兼容，不需要更换零件； ◼可选配光刻胶显影液温控, HMDS等单元部件。
设备尺寸	1180*1450*2040mm（W*D*H）