中普尼实业集团（海南）有限公司
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本设备是为淀积设备配套而设计的，主要用于半导体集成电路制造过程中对氮化硅、多晶硅的干法腐蚀；而且还能刻蚀二氧化硅、铬、氧化铬等各种介质膜和金属膜
本设备是为淀积设备配套而设计的，主要用于半导体集成电路制造过程中对氮化硅、多晶硅的干法腐蚀；而且还能刻蚀二氧化硅、铬、氧化铬等各种介质膜和金属膜。反应室采用平行电极腐蚀精度高。是一台操作简单、用途广泛、价格性能比高的设备。
主要技术参数：
1、 主机电源：380V/50Hz 2.5Kw
2、反应室尺寸： 344×105mm
3、电极 直径 ：Ф290mm
4、两极板间距 ：10～30mm可调
5、反应室极限真空度 ：优于 4Pa
6、装片量 ： Ф 35mm 44片 、 Ф 50mm 20片 、 Ф75mm 8片 、 Ф100mm 5片
7、高 频 源 ：功率0～1000W可调，P290型为自激式电源频率范围10Mc～13Mc，P290A型为它激式电源，频率为13.56Mc， 带有功率匹配和功率计
8、工作周期：小于20分钟，每小时可完成3次刻蚀
9、真空泵： 2X-4型
10、外型尺寸：1120×550×1260（mm）
11、 净重：150Kg
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