详细摘要： 产品用途与特点：1、本产品利用低能量平行Ar﹢离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的
产品型号：所在地：海口市更新时间：2023-06-29 在线留言中普尼实业集团（海南）有限公司
中普尼实业集团（海南）有限公司
详细摘要： 产品用途与特点：1、本产品利用低能量平行Ar﹢离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的
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详细摘要： 产品用途与特点：1、本产品通过物理与化学相结合的方法，对亚微米一下线条进行干法刻蚀，以形成精细图形
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详细摘要： 反应离子刻蚀设备CPN-H67-12A型：该设备主要用于半导体集成电路制造中氮化硅、多晶硅、二氧化硅的干法刻蚀；而且还能刻蚀铬、氧化铬、铝等
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详细摘要： 本设备是为淀积设备配套而设计的，主要用于半导体集成电路制造过程中对氮化硅、多晶硅的干法腐蚀；而且还能刻蚀二氧化硅、铬、氧化铬等各种介质膜和金属膜
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详细摘要： 产品用途与特点1、本设备可在硅片、陶瓷、玻璃、石英、金属等材料表面沉积SIOx、SINx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SIC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积掺杂薄膜
产品型号：所在地：海口市更新时间：2023-06-29 在线留言您感兴趣的产品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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