手动上、下片

设备配置2C2D、4C、4D设备产能180WPH衬底材质Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等线宽0

设备配置1C1D、2C、2D衬底材质Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等线宽0

晶片尺寸2-9英寸

设备配置2-4chamber（option:COT、DEV）设备产能20WPH衬底材质Si、Glass等适用工艺深孔喷胶TSV、高深宽比台阶喷胶

全新的操作系统机构，采用人机工程学设计，限度减轻操作者的使用疲劳，模块化的部件设计，可对系统功能进行自由组合，满足工业检测与金相分析的专业领域需求

全自动的操作系统，极大地减少人为干预

气流循环装置：内置空调间、循环风道及通风电机

气流循环装置：内置空调间、循环风道及通风电机

单片湿法刻蚀设备，能适应HF,HCL,H3PO4等多种刻蚀液，可刻蚀金属有Gr、Ni、Ti、Cu、Au等

专用喷胶设备，适用于表面刻有深孔的高表面形貌圆形或方形基片的喷涂工艺要求，旋流式锥形雾化，可均匀覆盖台阶表面，喷嘴有自动清洗功能

见详情表格晶片尺寸2-9英寸

设备自动完成去胶、剥离工艺，药液可循环利用，可配置去胶单元、清洗单元、浸泡单元，基片采用边缘夹持接触方式，采用扇状喷液方式，可保证去胶效果的一致性；浸泡单元采用...

手动上片后完成去胶、剥离工艺，再手动下片